挑戰七埃米製程　imec提出雙列CFET結構

作者： 黃繼寬
2024 年 12 月 09 日
在2024年IEEE國際電子會議(IEDM)期間，比利時微電子研究中心(imec)發表一款基於互補式場效電晶體(CFET)的全新標準單元結構，內含兩列CFET元件，兩者之間共用一層訊號布線牆。這種雙列CFET架構的主要好處在於簡化製程和大幅減少邏輯元件和靜態隨機存取記憶體(SRAM)的面積。根據imec進行的設計技術協同最佳化(DTCO)研究。與傳統的單列CFET相比，此新架構能讓標準單元高度從4軌降到3.5軌。...
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